EMC有很多測(cè)試項(xiàng)目，其中ESD模擬測(cè)試有一個(gè)很大的特殊性，就是這個(gè)測(cè)試除了固定的測(cè)試臺(tái)，其他所有的測(cè)試程序都是靠人為去操作完成。所以，可以說ESD模擬測(cè)試中，人為不良操作是影響測(cè)試結(jié)果的不可忽視的因素，需要重視。

一、靜電發(fā)生器放電頭參數(shù)的選擇（放電電阻和儲(chǔ)能電容）

   1、人體放電模式（EIA/JESD22-A114-A）,是模擬因人體在地上走動(dòng)摩擦或其他因素在人體上已累積了靜電，當(dāng)去觸碰IC時(shí)，人體上的靜電便會(huì)經(jīng)由IC的腳進(jìn)入IC內(nèi)，再由IC放電到地。不同HBM靜電電壓會(huì)產(chǎn)生不同的瞬間放電電流時(shí)間關(guān)系。

      2、機(jī)器放電模式（EIAJ-IC-121 method20）,模擬金屬的機(jī)器積累了靜電，當(dāng)機(jī)器去觸碰IC時(shí)，進(jìn)入IC并由IC腳放電到地。由于機(jī)器為金屬，等效電阻為0Ω,放電過程很快，瞬間電流比HBM大得多。

      由上述可知，第3和4點(diǎn)應(yīng)用的范圍是電子元器件。可以看出不同的放電端參數(shù)對(duì)測(cè)試結(jié)果是有影響的，RC時(shí)間常數(shù)變化了。比如300PF、2000Ω放電端的RC時(shí)間常數(shù)為600ns±130ns。其實(shí)會(huì)對(duì)防護(hù)器件更有破壞性。

二、接觸放電和空氣放電位置的選擇

      除非在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中有其他規(guī)定，靜電放電只施加在正常使用時(shí)可接觸到的受試設(shè)備的點(diǎn)和面。接觸放電對(duì)可觸及的放電點(diǎn)（一般就是指導(dǎo)體，可以用萬用表的二極管檔進(jìn)行測(cè)量），空氣放電對(duì)不可觸及的放電點(diǎn)（如絕緣縫隙）。